英特尔发布全新工具 芯片封装技术有望再提升

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封装不仅仅是芯片制造中的最后一个步,作为处理器和主板之间的物理接口,封装为芯片的 电信 号和电源提供了一个着陆区。随着电子行业正在迈向以数据为中心的时代,封装正在成为产品创新的催化剂。先进的封装技术能够集成多种制程工艺的计算引擎,实现类似于单晶片的性能,但其平台范围远远超过单晶片集成的晶片尺寸限制。这些技术将大大提高产品级性能和功效,缩小面积,同时对系统架构进行全面改造。

英特尔发布全新工具 芯片封装技术有望再提升

在本周于旧金山举办的SEMICON West大会上, 英特尔 推出了系列全新基础工具,为芯片产品架构开启新维度。包括:Co-EMIB,将EMIB和Foveros技术相结合的创新应用,以及全方位互连(ODI, Omni-Directional Interconnect)技术和MDIO全新裸片间接口技术。

英特尔期望利用先进技术将芯片和小芯片封装在一起,达到单晶片系统级芯片的性能。异构集成技术使得能够在新的多元化模块中将各种 IP 和制程技术与不同的内存和I/O单元混搭起来。英特尔的垂直集成结构,使得能够对架构、制程和封装同时进行优化。

其中,EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)2D封装和 Foveros 3D封装技术利用高密度的互连技术,实现高带宽、低功耗,并实现相当有竞争力的I/O密度。而Co-EMIB技术能将更高的计算性能和能力连接起来。Co-EMIB能够让两个或多个Foveros元件互连,基本达到单晶片性能。设计师们还能够以非常高的带宽和非常低的功耗连接模拟器、内存和其他模块。

同时,ODI全新全方位互连技术(ODI)为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。顶部芯片可以像EMIB技术下一样与其他小芯片进行水平通信,同时还可以像Foveros技术下一样,通过硅通孔(TSV)与下面的底部裸片进行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电,这种大通孔比传统的硅通孔大得多,其电阻更低,因而可提供更稳定的电力传输,同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。

同时,这种方法减少了基底晶片中所需的硅通孔数量,为有源晶体管释放了更多的面积,并优化了裸片的尺寸。此外,MDIO全新裸片间接口技术,基于其高级接口总线(AIB)物理层互连技术,英特尔发布了一项名为MDIO的。MDIO技术支持对小芯片IP模块库的模块化系统设计,能够提供更高能效,实现AIB技术两倍以上的响应速度和带宽密度。

这些新技术共同扩充了英特尔的工具箱,将与英特尔的制程技术相结合,成为芯片架构师的创意调色板,让他们能够自由设计出创新产品。

英特尔发布全新工具 芯片封装技术有望再提升

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